BD242B Datasheet

Название:BD242B
Информация:4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
Производитель:ME
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:BD242B.PDF (0Kb)

BD242B datasheet

BD242B Datasheet

Скачать документацию на BD242B