BUL52B datasheet: Advanced distributed base design high voltage high speed NPN silicon power transistor. Designed for use in electronic ballast applications.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

BUL52B Datasheet
Название:	BUL52B
Информация:	Advanced distributed base design high voltage high speed NPN silicon power transistor. Designed for use in electronic ballast applications.
Производитель:	MGNTC
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 150
Корпус:	TO220
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	BUL52B.PDF (0Kb)

BUL52B Datasheet