BUZ900DP datasheet: N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

BUZ900DP Datasheet
Название:	BUZ900DP
Информация:	N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V.
Производитель:	MGNTC
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	BUZ900DP.PDF (0Kb)

BUZ900DP Datasheet