MTW23N25E datasheet: TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

MTW23N25E Datasheet
Название:	MTW23N25E
Информация:	TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole
Производитель:	Motorola
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	4
Скачать Datasheet:	MTW23N25E.PDF (0Kb)

MTW23N25E Datasheet