NE4210S01-T1B datasheet: GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

NE4210S01-T1B Datasheet
Название:	NE4210S01-T1B
Информация:	GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
Производитель:	NEC Electronics Inc.
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	-
Скачать Datasheet:	NE4210S01-T1B.PDF (0Kb)

NE4210S01-T1B Datasheet