1N5381B datasheet: Glass passivated junction silicon zener diode. Power 5.0 Watt. Vz @ Izt = 130V, Izt =10mA- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

1N5381B Datasheet
Название:	1N5381B
Информация:	Glass passivated junction silicon zener diode. Power 5.0 Watt. Vz @ Izt = 130V, Izt =10mA
Производитель:	PAJIT
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	2
Скачать Datasheet:	1N5381B.PDF (0Kb)

1N5381B Datasheet