F1070 Datasheet

Название:F1070
Информация:200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:F1070.PDF (0Kb)

F1070 datasheet

F1070 Datasheet

Скачать документацию на F1070