F1206 datasheet: 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

F1206 Datasheet
Название:	F1206
Информация:	8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	2
Скачать Datasheet:	F1206.PDF (0Kb)

F1206 Datasheet