F2012 datasheet: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

F2012 Datasheet
Название:	F2012
Информация:	10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	2
Скачать Datasheet:	F2012.PDF (0Kb)

F2012 Datasheet