F2012 Datasheet

Название:F2012
Информация:10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:F2012.PDF (0Kb)

F2012 datasheet

F2012 Datasheet

Скачать документацию на F2012