L225 Datasheet
Название:L225
Информация:6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:L225.PDF (0Kb)

L225 datasheet

L225 Datasheet

Скачать документацию на L225