LP801 Datasheet
Название:LP801
Информация:15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:LP801.PDF (0Kb)

LP801 datasheet

LP801 Datasheet

Скачать документацию на LP801