LP802 Datasheet

Название:LP802
Информация:30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:LP802.PDF (0Kb)

LP802 datasheet

LP802 Datasheet

Скачать документацию на LP802