LQ801 Datasheet
Название:LQ801
Информация:30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:LQ801.PDF (0Kb)

LQ801 datasheet

LQ801 Datasheet

Скачать документацию на LQ801