ChipManual.ru
быстрый поиск документации по электронным компонентам
Поиск
Пример:
DS1280
LQ801 Datasheet
Название:
LQ801
Информация:
30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:
POFET
Темп. режим:
Min: -65
|
Max: 150
Корпус:
N/A
Кол-во выводов:
4
Скачать Datasheet:
LQ801.PDF
(0Kb)
LQ801 datasheet
Скачать документацию на LQ801