P123 datasheet: 2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

P123 Datasheet
Название:	P123
Информация:	2 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:	POFET
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	8
Скачать Datasheet:	P123.PDF (0Kb)

P123 Datasheet