S8201 Datasheet
Название:S8201
Информация:4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:S8201.PDF (0Kb)

S8201 datasheet

S8201 Datasheet

Скачать документацию на S8201