LX803 Datasheet

Название:LX803
Информация:45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:LX803.PDF (0Kb)

LX803 datasheet

LX803 Datasheet

Скачать документацию на LX803