LB401 Datasheet
Название:LB401
Информация:130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:LB401.PDF (0Kb)

LB401 datasheet

LB401 Datasheet

Скачать документацию на LB401