PJ2N5551CT Datasheet
Название:PJ2N5551CT
Информация:180V; 600mA NPN epitaxial silicon transistor
Производитель:PROMX
Темп. режим:Min: -20 | Max: 85
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:PJ2N5551CT.PDF (0Kb)

PJ2N5551CT datasheet

PJ2N5551CT Datasheet

Скачать документацию на PJ2N5551CT