IRF820FI datasheet: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRF820FI Datasheet
Название:	IRF820FI
Информация:	N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A
Производитель:	SGS-Thomson Microelectronics
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	ISOWATT220
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRF820FI.PDF (0Kb)

IRF820FI Datasheet