IRF822FI datasheet: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

IRF822FI Datasheet
Название:	IRF822FI
Информация:	N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
Производитель:	SGS-Thomson Microelectronics
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	ISOWATT220
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	IRF822FI.PDF (0Kb)

IRF822FI Datasheet