K4S160822DT-G-F10 datasheet: 1M x 8bit x 2 banks synchronous DRAM. 2M x 8 SDRAM. Max freq. 100 MHz, interface LVTTL.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

K4S160822DT-G-F10 Datasheet
Название:	K4S160822DT-G-F10
Информация:	1M x 8bit x 2 banks synchronous DRAM. 2M x 8 SDRAM. Max freq. 100 MHz, interface LVTTL.
Производитель:	Samsung Electronic
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 70
Корпус:	TSOP (II)
Кол-во выводов:	44
Скачать Datasheet:	K4S160822DT-G-F10.PDF (0Kb)

K4S160822DT-G-F10 Datasheet