S8550LT1 datasheet: High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

S8550LT1 Datasheet
Название:	S8550LT1
Информация:	High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V
Производитель:	Wing Shing Electronic Co. - manufacturer of power semiconductors
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	S8550LT1.PDF (0Kb)

S8550LT1 Datasheet