WMBT5551LT1 datasheet: NPN silicon transistor. Collector-emitter voltage 160V. Collector-base voltage 180V. Emitter-base voltage 6.0V- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

WMBT5551LT1 Datasheet
Название:	WMBT5551LT1
Информация:	NPN silicon transistor. Collector-emitter voltage 160V. Collector-base voltage 180V. Emitter-base voltage 6.0V
Производитель:	Wing Shing Electronic Co. - manufacturer of power semiconductors
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	WMBT5551LT1.PDF (0Kb)

WMBT5551LT1 Datasheet